国家管网改革管网构调2005年从美国加州大学河滨分校化学专业获得博士学位。

集团（c）器件在不同放大倍数下的SEM图。年收官（c）SACNT薄膜的光学显微镜图像。

行动（f）图e）中器件的温度和功率与驱动电压的依赖关系。甚至在粗真空条件下（≈10-1Pa），全面仍能可重复地正常工作（20次循环下驱动电压波动仅±2%）。着力整（d）基于悬空碳纳米管薄膜和不悬空碳纳米管薄膜的器件的发射特性的比较。

 【背景介绍】片上集成电子源是真空微电子学的重要组成部分，推动在小型化X射线管、推动真空微电子集成电路、微型电子显微镜，离子注入系统中的离子推力器和电荷补偿装置等领域显示出巨大的应用潜力。在过去的几十年里，油气有关片上集成的电子源的研究主要聚焦在基于微尖的场发射电子源阵列（FEAs）上。

 图三、布局单个微型电子发射源的稳定性和可重复性（a）在约5×10-4Pa下测得的单个微型电子发射源的短期稳定性测试。

实验测量发现，和结制备的器件在较低的工作电压（3~4V）可以获得较高的发射电流密度（≈1.33Acm-2）。如果你想录制类似电影中的推拉镜头或是校园风景，国家管网改革管网构调你甚至可以不用到达录制现场，便可完成录制。

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